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BUK952R3-40E-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**BUK952R3-40E-VB** 是一款高性能的N沟道MOSFET,采用TO220封装并基于Trench技术。这款MOSFET具有优异的低导通电阻和高漏极电流能力,适用于高功率和高电流应用场景。其卓越的性能使其在电源管理、功率开关和高电流驱动领域表现出色。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 40V 3V 180A 2mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 40V 3V 180A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 40V 3V 180A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **封装**:TO220
- **配置**:单N沟道
- **漏源电压(VDS)**:40V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:3V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 15mΩ @ VGS = 4.5V
- 2mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流(ID)**:180A
- **技术**:Trench

领域和模块应用:

应用示例

**BUK952R3-40E-VB** MOSFET的高性能特点使其适用于各种领域和模块:

1. **电源转换和管理**:
在高效的电源转换器和电源管理系统中,BUK952R3-40E-VB的低RDS(ON)值可以显著减少功率损耗,提高转换效率。这使得它特别适合于DC-DC转换器和电源模块中,以提供高效的电力转换和稳定的电源输出。

2. **高电流驱动**:
由于其高达180A的漏极电流能力,这款MOSFET非常适合于需要处理大电流的应用,如电动汽车驱动系统或大型工业电机控制。其高电流处理能力保证了在高负载条件下的可靠运行和长寿命。

3. **功率开关应用**:
在各种功率开关应用中,例如逆变器和电源开关,BUK952R3-40E-VB能够提供高效的开关操作。其低导通电阻有助于减少开关损耗和发热,提升系统的总体效率和稳定性。

4. **电动汽车和高功率设备**:
由于其高耐压(40V)和极低的导通电阻,BUK952R3-40E-VB在电动汽车的电源系统以及其他高功率设备中非常合适。这款MOSFET可以处理高功率负荷并优化能量传输,提升设备的性能和可靠性。

这些应用示例展示了BUK952R3-40E-VB在高电流和高功率场景中的重要性,特别是在需要高效能和高可靠性的领域。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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