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BUK9509-75A-VB 产品详细

产品简介:

BUK9509-75A-VB MOSFET 产品简介

BUK9509-75A-VB 是一款高性能单 N 通道 MOSFET,采用 TO220 封装。该 MOSFET 设计用于高效能的开关应用,具有出色的低导通电阻和高电流承载能力。BUK9509-75A-VB 使用 Trench 技术,提供优异的电流处理能力和低功率损耗。其最大漏极-源极电压 (VDS) 为 80V,最大栅极-源极电压 (VGS) 为 ±20V。MOSFET 在栅源电压为 4.5V 时,导通电阻为 9mΩ,在栅源电压为 10V 时,导通电阻进一步降低至 7mΩ,支持最高 100A 的连续漏极电流 (ID)。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 100A 7mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 100A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 100A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **封装类型**: TO220
- **配置**: 单 N 通道
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**: 80V
- **最大栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 9mΩ @ VGS = 4.5V
- 7mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流 (ID)**: 100A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域示例

1. **高效能电源管理**:
- BUK9509-75A-VB 适用于各种高效能电源管理应用。其低导通电阻和高电流处理能力使其非常适合用于电源开关和 DC-DC 转换器中,提高电源效率并减少能量损失。

2. **电动汽车电源系统**:
- 在电动汽车的电源系统中,该 MOSFET 可用于电机驱动和电池管理。其高电流承载能力和低功率损耗确保了电动汽车系统的稳定性和高效性,提升了车辆的整体性能和续航里程。

3. **电池充电器**:
- BUK9509-75A-VB 也适用于电池充电器中的开关控制。低导通电阻和高电流处理能力可以在充电过程中提供稳定的电流控制,提升充电效率和安全性。

4. **工业设备**:
- 在工业设备中,如电机驱动和高功率负载开关,BUK9509-75A-VB 的低导通电阻和高电流处理能力可以确保设备在高负载条件下的稳定运行,提高设备的可靠性和寿命。

5. **计算机电源系统**:
- 该 MOSFET 可用于计算机电源系统中的开关和调节电路。它的低功率损耗和高电流承载能力有助于提高计算机电源的效率和稳定性,支持高性能计算需求。

总体而言,BUK9509-75A-VB 是一款非常适合高电流和高效率应用的 MOSFET,广泛应用于电源管理、电动汽车、电池充电器、工业设备和计算机电源系统等领域。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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