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BUK9506-30-VB 产品详细

产品简介:

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BUK9506-30-VB是一款高性能N沟道MOSFET,采用Trench技术,封装形式为TO220。该MOSFET专为高功率和高效率应用设计,具有最大漏源电压(VDS)为30V和最大漏极电流(ID)为120A的特性。低导通电阻(RDS(ON))在VGS=4.5V时为4mΩ,在VGS=10V时为3mΩ,提供了优异的功率转换效率和低功耗操作,特别适合用于要求高电流处理能力的电子设备和电源管理系统。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 30V 1.7V 120A 3mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 30V 1.7V 120A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 30V 1.7V 120A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **封装类型**:TO220
- **配置**:单N沟道
- **漏源电压(VDS)**:30V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 4mΩ @ VGS=4.5V
- 3mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**:120A
- **技术**:Trench
- **其他关键参数**:
- **耗散功率(Ptot)**:典型值为65W
- **结到环境热阻(RθJA)**:最大值为1.92°C/W
- **结到壳热阻(RθJC)**:最大值为1.5°C/W
- **工作温度范围(Tj)**:-55°C 至 +175°C

领域和模块应用:

应用领域和模块举例

BUK9506-30-VB MOSFET因其优异的电气性能和高电流处理能力,非常适合在以下领域和模块中应用:

1. **电源管理系统**:在高功率电源管理系统中,BUK9506-30-VB MOSFET用于高效的电源开关和电流控制,优化电源转换效率。适用于开关电源、DC-DC转换器以及各种电源适配器,能够有效管理和控制电源的开关操作。

2. **汽车电子**:在汽车电子系统中,如电池管理系统和电机控制模块,该MOSFET能够处理高电流负载,提供可靠的开关功能,适合用于电动汽车、混合动力汽车的电池管理、驱动系统和高功率照明系统。

3. **工业电机驱动**:在工业自动化设备中,如高功率电机驱动和电源控制系统,BUK9506-30-VB MOSFET用于驱动和控制高功率负载,保证电机驱动系统的稳定性和高效性能。

4. **高效开关电源**:在高效开关电源中,该MOSFET用于减少能量损耗和优化功率转换,适合用于高功率应用,如通信电源、高效能计算机电源和工业电源系统。

5. **电动工具和家电**:在电动工具和家电设备中,BUK9506-30-VB MOSFET可用于控制高电流开关,提升设备的整体性能和能效,适合于各种电动工具、家用电器和消费电子产品。

BUK9506-30-VB MOSFET凭借其高电流承载能力、低导通电阻和高功率处理能力,是各种高功率和高效能应用中的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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