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BUK755R4-100E-VB 产品详细

产品简介:

BUK755R4-100E-VB MOSFET 产品简介

BUK755R4-100E-VB 是一款单个 N 通道 MOSFET,封装类型为 TO220。该 MOSFET 采用了 Trench 技术,具有最大漏极-源极电压(VDS)为 100V 和最大栅极-源极电压(VGS)为 ±20V。其阈值电压(Vth)为 3V。在栅源电压为 10V 时,其导通电阻(RDS(ON))为 5mΩ,能够承载高达 120A 的连续漏极电流(ID)。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 100V 3V 120A 5(mΩ) Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 100V 3V 120A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 100V 3V 120A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **封装类型**: TO220
- **配置**: 单 N 通道
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**: 100V
- **最大栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 5mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流 (ID)**: 120A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域示例

1. **电动汽车 (EV) 驱动系统**:
- BUK755R4-100E-VB 的高电流承载能力和低导通电阻使其非常适合用于电动汽车的驱动系统。它可以在电动汽车的逆变器和电机控制模块中用作开关元件,确保高效和可靠的功率转换和控制。

2. **工业电机控制**:
- 在工业电机控制应用中,BUK755R4-100E-VB 能够处理大电流和高电压,非常适合用作电机驱动器中的开关。它可以稳定控制电机的速度和扭矩,提高系统的整体效率和性能。

3. **太阳能和风能逆变器**:
- 在可再生能源系统中,BUK755R4-100E-VB 可以用于太阳能和风能逆变器。其高电流能力和低导通电阻有助于提高直流到交流转换的效率,确保系统的可靠性和稳定性。

4. **电源管理模块**:
- 在高功率电源管理模块中,BUK755R4-100E-VB 的低导通电阻和高电流能力使其成为理想选择。它可以在开关电源(SMPS)和其他电源管理应用中用作高效开关元件,减少功率损耗,提升系统效率。

5. **负载开关**:
- 由于其高电流承载能力,BUK755R4-100E-VB 也适用于高功率负载开关应用。在需要可靠高效地管理大电流的负载控制电路中,该 MOSFET 能够确保稳定和高效的运行。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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