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BUK7509-75A-VB 产品详细

产品简介:

一、BUK7509-75A-VB 产品简介

BUK7509-75A-VB 是 NXP Semiconductors 提供的一款高性能单 N 沟道 MOSFET,封装形式为 TO-220。这款 MOSFET 采用先进的 Trench 技术设计,具有 80V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压 (VGS) 规格。在 4.5V 栅源电压下,其导通电阻为 9mΩ,而在 10V 栅源电压下,导通电阻进一步降低至 7mΩ。BUK7509-75A-VB 支持高达 100A 的连续漏极电流 (ID),非常适合需要高电流和低导通损耗的应用场景。其优异的开关性能和低功耗特性使其在电源管理、功率转换和电动机驱动等领域表现卓越。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 100A 9(mΩ) 7(mΩ) Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 100A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 100A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
二、BUK7509-75A-VB 详细参数说明

| 参数 | 值 | 单位 |
|------------------------|--------------------------|--------|
| 产品型号 | BUK7509-75A-VB | |
| 封装 | TO-220 | |
| 配置 | 单 N 沟道 | |
| 漏源电压 (VDS) | 80 | V |
| 栅源电压 (VGS) | ±20 | V |
| 阈值电压 (Vth) | 3 | V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 9 (VGS = 4.5V) | mΩ |
| | 7 (VGS = 10V) | mΩ |
| 连续漏极电流 (ID) | 100 | A |
| 瞬时脉冲漏极电流 (ID(pulse)) | 200 | A |
| 最大功耗 (Ptot) | 125 | W |
| 工作温度范围 | -55 至 +175 | °C |
| 存储温度范围 | -55 至 +175 | °C |
| 技术 | Trench | |

领域和模块应用:

三、应用领域和模块示例

BUK7509-75A-VB 的高电流处理能力和低导通电阻使其在多个领域和应用中表现出色,以下是几个具体的应用示例:

1. **电源管理**:在高功率开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中,BUK7509-75A-VB 能够作为高效的开关元件,低导通电阻有助于减少能量损耗,提高电源转换效率。这对于高性能电源供应和节能设计至关重要。

2. **电动机驱动**:由于其能够处理高电流负载,这款 MOSFET 非常适用于电动汽车、电动工具以及工业电动机驱动系统。它能够实现高效的电机控制和精确调速,满足对高电流和高可靠性的要求。

3. **功率转换系统**:在工业功率转换器和逆变器中,BUK7509-75A-VB 可以处理大电流负载,确保系统的稳定性和可靠性。它广泛应用于太阳能逆变器和不间断电源 (UPS) 中,保证功率转换的效率和稳定性。

4. **电池管理系统**:在电池管理系统 (BMS) 中,该 MOSFET 能够处理高电流负载,提供过流保护和电池切换功能。其低导通电阻和高电流能力可以提高电池系统的安全性和性能,确保在各种工作条件下的稳定运行。

这些应用示例展示了 BUK7509-75A-VB 在高电流处理、低导通损耗和高效开关的场景中的关键作用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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