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BUK657-400B-VB 产品详细

产品简介:

BUK657-400B-VB 产品简介

**BUK657-400B-VB** 是一款采用 SJ_Multi-EPI 技术的单N沟道功率MOSFET,封装形式为 TO220。该器件设计用于高压应用,具有极高的漏极-源极耐压能力和适中的导通电阻。其高耐压和中等电流承载能力使其适用于需要高电压和高稳定性的开关模式电源及其他电力电子应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 9A 500(mΩ) SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 9A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 9A SJ_Multi-EPI
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **封装(Package):** TO220
- **配置(Configuration):** 单N沟道
- **最大漏源电压(VDS):** 650V
- **最大栅源电压(VGS):** ±30V
- **阈值电压(Vth):** 3.5V
- **导通电阻(RDS(on)):** 500mΩ(在 VGS = 10V 时)
- **最大连续漏极电流(ID):** 9A
- **技术(Technology):** SJ_Multi-EPI

领域和模块应用:

适用领域与模块举例

**BUK657-400B-VB** 的高压和中等电流特性使其适用于以下领域和模块:

1. **高压开关模式电源(SMPS):**
由于其650V的高漏源电压,BUK657-400B-VB 非常适合用于高压开关模式电源应用,如用于工业设备、计算机电源和通信设备的电源模块。其高耐压特性能够处理高电压输入并提供稳定的电源输出。

2. **电源管理系统:**
在电源管理系统中,特别是需要高电压控制的场景,如高压电源调节器和变压器驱动器,这款 MOSFET 的高耐压和稳定性能能够保证系统的高效运行和安全性。

3. **高压逆变器:**
在太阳能光伏逆变器和电动车辆电力电子系统中,BUK657-400B-VB 的高电压承载能力使其适用于高压逆变器应用,能够在高电压环境下稳定运行,提高系统的效率和可靠性。

4. **工业照明控制:**
在高压工业照明控制系统中,如高压路灯和大型LED照明系统,该 MOSFET 能够有效驱动高压灯具,提供稳定的电流控制并优化系统的能效和耐用性。

5. **高电压电源模块:**
在需要高电压和高稳定性的电源模块中,如医疗设备和高压测试设备,BUK657-400B-VB 可以作为高电压开关组件,确保系统在高电压操作条件下的稳定性和可靠性。

总结来说,BUK657-400B-VB 是一款高耐压、稳定可靠的 MOSFET,适用于各种高压电源管理和开关应用,能够满足高电压和高功率需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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