BSZ058N03LS G-VB - VBsemi MOS管制造商

BSZ058N03LS G-VB 产品详细

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产品简介
BSZ058N03LS G-VB 是一款高性能单通道 N 沟道 MOSFET，封装为 DFN8(3x3)，专为高电流和高效率开关应用设计。其具有 30V 的漏极-源极耐压、±20V 的栅极-源极耐压和 1.7V 的栅极阈值电压。在 4.5V 的栅极驱动电压下，该 MOSFET 的导通电阻为 5mΩ，在 10V 的栅极驱动电压下为 3.9mΩ。最大漏极电流为 60A，采用 Trench 技术，提供优异的开关性能和低导通电阻。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
DFN8(3X3)	Single-N	30V		1.7V	60A		5(mΩ)	3.9(mΩ)	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
DFN8(3X3)	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
DFN8(3X3)	Single-N	30V		1.7V	60A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
DFN8(3X3)	Single-N	30V		1.7V	60A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
DFN8(3X3)	Single-N

参数说明
- **型号**: BSZ058N03LS G-VB
- **封装**: DFN8(3x3)
- **配置**: 单通道 N 沟道 MOSFET
- **漏极-源极耐压 (VDS)**: 30V
- **栅极-源极耐压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 5mΩ @ VGS = 4.5V
- 3.9mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 60A
- **技术**: Trench 技术

领域和模块应用：

应用领域
BSZ058N03LS G-VB 适用于以下领域和模块：
- **电源管理**: 在电源转换器和开关电源中作为开关元件，实现高效的电源转换和负载管理。
- **电池管理**: 在电池管理系统中作为高电流开关，确保电池的安全和高效使用。
- **工业控制**: 在高电流工业设备中提供稳定的开关控制，适用于电动机驱动和负载开关。
- **汽车电子**: 用于汽车电源管理系统中的高电流负载控制，如电动座椅、车灯等，提升系统可靠性和效率。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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