BSS84PW-VB - VBsemi MOS管制造商

BSS84PW-VB 产品详细

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产品简介：

产品简介

**BSS84PW-VB** 是一款单极性P沟道功率MOSFET，封装为SC70-3。该MOSFET具有-60V的漏源电压（VDS），支持最大±20V的栅极源电压（VGS）。其阈值电压（Vth）为-1.7V，导通电阻为5000mΩ（VGS=4.5V）和4000mΩ（VGS=10V），最大漏电流为-0.135A。MOSFET采用沟槽技术，适合于中等电流和低电压的开关应用。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SC70-3	Single-P	-60V		-1.7V	-0.135A		5000(mΩ)	4000(mΩ)	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SC70-3	Single-P						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SC70-3	Single-P	-60V		-1.7V	-0.135A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SC70-3	Single-P	-60V		-1.7V	-0.135A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
SC70-3	Single-P

详细参数说明

- **型号**: BSS84PW-VB
- **封装**: SC70-3
- **配置**: 单极性P沟道
- **漏源电压 (VDS)**: -60V
- **栅极源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 5000mΩ @ VGS = 4.5V
- 4000mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流 (ID)**: -0.135A
- **技术**: 沟槽技术

领域和模块应用：

适用领域和模块

**BSS84PW-VB** 功率MOSFET 主要适用于以下领域和模块：

1. **低电流开关电路**：在低电流应用中作为开关元件，适合用于便携式电子设备和低功耗电源开关，提供高效的电流控制。

2. **小型电源管理**：用于小型电源管理和电池供电设备，处理中等电流负载，优化电源效率和减少功耗。

3. **负载开关**：在小型负载开关应用中，适合用于移动设备和低功耗电子产品，确保电流流动的高效控制。

4. **电源保护电路**：用于电源保护电路，如过流保护和反向电流保护，确保系统的安全性和稳定性。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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