BSO150N03MD G-VB - VBsemi MOS管制造商

BSO150N03MD G-VB 产品详细

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产品简介：

产品简介

**BSO150N03MD G-VB** 是一款双极性N沟道功率MOSFET，封装为SOP8。这款MOSFET具有30V的漏源电压（VDS）和最大±20V的栅极源电压（VGS）。其阈值电压（Vth）为1.7V，导通电阻为20mΩ（VGS=4.5V）和16mΩ（VGS=10V），最大漏电流为8.5A。MOSFET采用沟槽技术，设计用于需要高效率和高电流处理的应用。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SOP8	Dual-N+N	30V		1.7V	8.5A		20(mΩ)	16(mΩ)	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SOP8	Dual-N+N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SOP8	Dual-N+N	30V		1.7V	8.5A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SOP8	Dual-N+N	30V		1.7V	8.5A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
SOP8	Dual-N+N

详细参数说明

- **型号**: BSO150N03MD G-VB
- **封装**: SOP8
- **配置**: 双极性N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 30V
- **栅极源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 20mΩ @ VGS = 4.5V
- 16mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流 (ID)**: 8.5A
- **技术**: 沟槽技术

领域和模块应用：

适用领域和模块

**BSO150N03MD G-VB** 功率MOSFET 适用于以下领域和模块：

1. **电源管理**：在电源转换器和DC-DC转换器中作为开关元件，适合处理中等电流负载，提供高效的电源管理和转换。

2. **负载开关**：用于各种负载开关应用，如小型电池供电设备和家用电器，能够高效控制电流流动和降低功耗。

3. **电动机驱动**：在小功率电动机驱动系统中使用，能够处理中等电流负载，适合电动工具和小型电机应用，提供稳定的电流控制。

4. **功率调节**：在功率调节模块中用于电流控制，适合应用于电源模块和调节器中，优化系统性能和提高效率。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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