产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SC70-6 |
Dual-N+P |
±20V |
|
1.0/-1.2V |
3.28/-2.8A |
110/190(mΩ) |
90/155(mΩ) |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SC70-6 |
Dual-N+P |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SC70-6 |
Dual-N+P |
±20V |
|
1.0/-1.2V |
3.28/-2.8A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SC70-6 |
Dual-N+P |
±20V |
|
1.0/-1.2V |
3.28/-2.8A |
|
Trench |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| SC70-6 |
Dual-N+P |
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参数说明
- **型号**: BSD235C-VB
- **封装**: SC70-6
- **配置**: 双管N+P沟道
- **漏极-源极耐压 (VDS)**: ±20V
- **栅极-源极耐压 (VGS)**: ±20V
- **门槛电压 (Vth)**:
- N沟道: 1.0V
- P沟道: -1.2V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- N沟道:
- 2.5V栅极驱动下: 110mΩ
- 4.5V栅极驱动下: 90mΩ
- P沟道:
- 2.5V栅极驱动下: 190mΩ
- 4.5V栅极驱动下: 155mΩ
- **漏极电流 (ID)**:
- N沟道: 3.28A
- P沟道: -2.8A
- **技术**: Trench技术
领域和模块应用：
应用领域
BSD235C-VB适用于以下领域和模块：
1. **电源开关**: 在双极性电源系统中，用于高效的开关控制，提供低导通电阻以减少功率损耗。
2. **电池管理**: 在电池管理系统中作为高效开关元件，处理双极性电流流动，确保电池的安全和高效运行。
3. **电机驱动**: 适用于电机驱动电路中，作为开关元件提供稳定的电流控制。
4. **信号开关**: 用于信号开关应用，尤其是在需要双极性开关的场合，提供低开关损耗和高可靠性。
该MOSFET的双极性支持和低导通电阻使其在要求高效、稳定开关的应用中表现优异。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
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