BSC042N03MS G-VB - VBsemi MOS管制造商

BSC042N03MS G-VB 产品详细

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产品简介

**BSC042N03MS G-VB** 是一款高性能单 N-Channel MOSFET，封装形式为 DFN8(5x6)。该 MOSFET 采用先进的 Trench 技术，具有极低的导通电阻和高漏电流承载能力，专为要求高效率和高电流的应用设计。它适用于高功率开关和电源管理系统。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	30V		1.7V	160A		2.5(mΩ)	1.8(mΩ)	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
DFN8(5X6)	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	30V		1.7V	160A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	30V		1.7V	160A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
DFN8(5X6)	Single-N

详细参数说明

- **封装**: DFN8(5x6)
- **配置**: 单 N-Channel
- **漏源电压 (V_DS)**: 30V
- **栅源电压 (V_GS)**: ±20V
- **阈值电压 (V_th)**: 1.7V
- **导通电阻 (R_DS(on))**:
- 2.5mΩ @ V_GS = 4.5V
- 1.8mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏电流 (I_D)**: 160A
- **技术**: Trench

领域和模块应用：

应用领域和模块

1. **高效开关电源**: BSC042N03MS G-VB 可在高效开关电源中作为主要开关使用，提供优异的电流处理能力和低功耗特性，提升整体系统效率。

2. **大功率电流驱动**: 适用于需要大电流处理的应用，如电机驱动和高功率 DC-DC 转换器，能够稳定地承载高达 160A 的电流。

3. **电源管理系统**: 在电源管理模块中使用，提供高效的电流开关和优化电源分配，适合电池管理和功率调节应用。

4. **消费电子和计算机设备**: 用于高功率消费电子产品和计算机主板中，作为高效功率开关，确保稳定性和降低功耗。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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