产品简介：
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BSC030N03LS G-VB 是一款采用 DFN8 (5x6) 封装的单通道 N 沟道 MOSFET，设计用于低电压、高电流应用。该 MOSFET 的漏极-源极耐压为 30V，栅极-源极耐压为 ±20V，栅极阈值电压为 1.7V。它在 4.5V 的栅极驱动电压下具有 9mΩ 的导通电阻，在 10V 的栅极驱动电压下为 7mΩ。最大漏极电流可达 80A，采用先进的 Trench 技术制造，适用于高效率的电源管理和电流开关应用。
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产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
80A |
|
9(mΩ) |
7(mΩ) |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
80A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
80A |
|
Trench |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
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参数说明
- **型号**: BSC030N03LS G-VB
- **封装**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 单通道 N 沟道 MOSFET
- **漏极-源极耐压 (VDS)**: 30V
- **栅极-源极耐压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 9mΩ @ VGS = 4.5V
- 7mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 80A
- **技术**: Trench 技术
领域和模块应用：
应用领域
BSC030N03LS G-VB 适用于以下领域和模块：
- **电源管理**: 在高功率 DC-DC 转换器中提供高效的电流传输和开关控制。
- **计算机和服务器**: 用于电源模块中，优化电源分配，适应高负载需求。
- **电动汽车**: 作为动力系统中的开关元件，处理电池和电机之间的功率流动。
- **工业设备**: 在高电流应用中提供可靠的开关功能，支持设备稳定运行。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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