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APM9936KC-TRL-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**APM9936KC-TRL-VB**是一款高性能的双N+P通道MOSFET,采用SOP8封装,专为需要双极性开关的应用设计。该MOSFET使用沟槽技术(Trench Technology),具有高电流处理能力和低导通电阻,适合用于各种电源管理和开关电路。其双通道配置使其能够处理更复杂的开关任务,广泛应用于电源转换、负载开关以及高效能电子系统中。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+P ±30V 1.6/-1.7V ±8A 24/50(mΩ) 18/40(mΩ) Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+P ±30V 1.6/-1.7V ±8A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+P ±30V 1.6/-1.7V ±8A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Dual-N+P
详细参数说明

- **封装类型**:SOP8
- **配置**:双N+P通道
- **漏源电压 (VDS)**:±30V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.6V(N通道) / -1.7V(P通道)
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- @VGS=4.5V:24mΩ(N通道) / 50mΩ(P通道)
- @VGS=10V:18mΩ(N通道) / 40mΩ(P通道)
- **漏极电流 (ID)**:±8A
- **技术**:沟槽技术

领域和模块应用:

应用领域和模块举例

1. **电源管理**:
- **APM9936KC-TRL-VB**的双N+P通道配置使其在电源管理系统中表现出色。其能够处理双极性电流,适合用于电源转换器中的双向开关操作,提高电源的稳定性和效率。它适用于DC-DC转换器、电池管理系统及电源适配器等领域。

2. **负载开关**:
- 在负载开关应用中,**APM9936KC-TRL-VB**能够高效控制双极性负载,提供稳定的开关性能。其低导通电阻和高电流能力使其适用于电动机驱动、负载开关以及其他需要双极性开关的应用中,确保系统的可靠性和高效运行。

3. **高效能电子系统**:
- **APM9936KC-TRL-VB**也适合用于高效能电子系统中,例如汽车电子设备和工业控制系统。其双N+P通道设计能够处理复杂的开关任务,适应高电流和高负载的工作环境,提高整体系统的性能和稳定性。

**APM9936KC-TRL-VB**凭借其高电流处理能力、低导通电阻和双通道配置,在电源管理、负载开关及高效能应用中提供了稳定可靠的性能,是工程师设计高效能电路的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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