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APM4550J-VB 产品详细

产品简介:

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APM4550J-VB 是一种集成在 DIP8 封装内的双通道 MOSFET(N沟道 + P沟道)。该器件采用沟槽技术制造,具备低导通电阻和较高的电流承载能力,非常适合用于电源管理和负载开关应用。APM4550J-VB 的设计旨在提供优异的开关性能和高效率,满足现代电子设备的需求。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DIP8 Dual-N+P ±30V ±1V 7.2/-5A 30(mΩ) 25(mΩ) Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DIP8 Dual-N+P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DIP8 Dual-N+P ±30V ±1V 7.2/-5A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DIP8 Dual-N+P ±30V ±1V 7.2/-5A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DIP8 Dual-N+P
详细参数说明

- **封装类型**:DIP8
- **配置**:双通道(N沟道 + P沟道)
- **漏源电压 (VDS)**:±30V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:±1V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- VGS = 4.5V: 30mΩ(N沟道),
- VGS = 10V: 25mΩ(N沟道)
- **漏极电流 (ID)**:7.2A(N沟道),-5A(P沟道)
- **技术**:沟槽技术

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

1. **电源管理和开关电源**:
- APM4550J-VB 在开关电源和 DC-DC 转换器中表现出色,能够有效地控制电流流动,确保高效的电能转换。其低导通电阻减少了功率损耗,提高了系统的整体效率。

2. **电池保护电路**:
- 该 MOSFET 适合用于电池管理系统中的过流保护和充电管理。其高电流承载能力和低 RDS(ON) 能够有效保护电池免受过流和过热损害,同时支持快速充电过程。

3. **电机驱动应用**:
- APM4550J-VB 可用于电机驱动电路,包括电机的速度控制和方向控制。其双通道配置使其能够驱动多个电机,简化了电路设计并提高了系统的整体性能。

4. **负载开关和信号切换**:
- 该 MOSFET 也适用于负载开关和信号切换应用。其低导通电阻和较高的开关速度使其在负载开关中表现出色,提供稳定和高效的开关操作。

APM4550J-VB 的优越性能和多功能特性使其在各种电子设备中非常实用,特别是在需要高效电源管理和可靠开关操作的应用场景中。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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