推广型号

您现在的位置 > 首页 > 推广型号

APM4538KC-TRL-VB 产品详细

产品简介:

一、APM4538KC-TRL-VB 产品简介

APM4538KC-TRL-VB 是一款高性能的双N+P沟道MOSFET,采用Trench技术制造,封装形式为SOP8。此MOSFET设计用于提供高效能的开关控制,具有对称的N沟道和P沟道配置,适合各种双向开关应用。器件具备±30V的漏源电压 (VDS)、±20V的栅源电压 (VGS)、高达±8A的连续漏电流 (ID),以及在不同栅源电压下的低导通电阻。其设计目标是实现低功耗和高效能的电流管理,特别适用于需要双向开关控制的应用场景。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+P ±30V 1.6/-1.7V ±8A 24/50(mΩ) 18/40(mΩ) Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+P ±30V 1.6/-1.7V ±8A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+P ±30V 1.6/-1.7V ±8A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Dual-N+P
二、APM4538KC-TRL-VB 详细参数说明

- **封装类型**:SOP8
- **配置**:双N+P沟道
- **漏源电压 (VDS)**:±30V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:
- N沟道:1.6V
- P沟道:-1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- N沟道 @ VGS = 4.5V:24mΩ
- P沟道 @ VGS = 4.5V:50mΩ
- N沟道 @ VGS = 10V:18mΩ
- P沟道 @ VGS = 10V:40mΩ
- **连续漏电流 (ID)**:±8A
- **技术**:Trench

领域和模块应用:

三、应用领域及模块举例

APM4538KC-TRL-VB 的特性使其在多种应用领域中表现出色:

1. **电源管理**:
- **H桥驱动电路**:在H桥电机驱动电路中,双N+P沟道MOSFET可实现高效的电流控制,支持双向电机驱动和精确的速度控制。
- **电源开关**:在电源管理系统中,能够高效地切换电源通路,减少功耗,提高系统的整体效率。

2. **消费电子**:
- **移动设备**:如智能手机、平板电脑的电源管理模块,利用双N+P沟道的配置,实现电源切换和电池保护功能。
- **可穿戴设备**:适用于智能手表和健康监测设备,提供高效的电源管理和双向开关控制。

3. **汽车电子**:
- **车载控制系统**:在汽车的各种控制模块中(如车灯、窗户电动调节等),利用双N+P沟道MOSFET实现高效的开关控制和负载管理。
- **电动驱动系统**:用于电动汽车的电机控制,支持双向电流流动和精确控制。

4. **工业控制**:
- **自动化设备**:在工业自动化设备中,如PLC控制系统,提供高效的开关控制和负载开关功能。
- **电源保护**:用于电源保护电路,避免过流和过压情况,确保系统的安全性和稳定性。

APM4538KC-TRL-VB 的双N+P沟道设计和高性能特性使其在多个高效能应用中表现出色,适用于各种需要双向开关控制和电源管理的场景。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

QQ咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
在线咨询
电话咨询
微信咨询