VBTA3230NS - MOSFETs - VBsemi MOSFET

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产品简介：

VBTA3230NS是一款双N+N型MOSFET，具有20V的漏极-源极电压（VDS）、20V的栅极-源极电压（VGS）、0.5~1.5V的阈值电压（Vth）、350mΩ（VGS=2.5V）和300mΩ（VGS=4.5V）的导通电阻（RDS(on)），以及0.6A的漏极电流（ID）。采用Trench工艺制造，封装为SC75-6。

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产品参数：

参数：
- 双N+N型
- VDS(V)：20
- VGS(±V)：20
- Vth(V)：0.5~1.5
- RDS(on) VGS=2.5V(mΩ)：350
- RDS(on) VGS=4.5V(mΩ)：300
- ID (A)：0.6
- Technology：Trench
封装：SC75-6

领域和模块应用：

由于其小封装和低漏极电流特性，VBTA3230NS适用于轻载和低功率应用场景。例如，
在移动设备中，可用于电池管理模块中的电源开关；在传感器电路中，可用于传感器信号调节电路中的开关管；在便携式电子产品中，可用于充电管理模块中的电池充放电控制。其小型封装和低功耗特性使其在空间和能耗有限的场景中具有广泛的应用潜力。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您

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