AP6982M-VB - VBsemi MOS管制造商

AP6982M-VB 产品详细

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产品简介：

产品简介详细：

AP6982M-VB 是一款双N+N沟道MOSFET，采用Trench技术。其主要技术参数如下：

- **包装类型：** SOP8
- **配置：** 双N+N沟道
- **最大漏极-源极电压（VDS）：** 30V
- **最大栅极-源极电压（VGS）：** ±20V
- **阈值电压（Vth）：** 1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）：**
- 20mΩ @ VGS = 4.5V
- 16mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流（ID）：** 8.5A

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SOP8	Dual-N+N	30V		1.7V	8.5A		20(mΩ)	16(mΩ)	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SOP8	Dual-N+N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SOP8	Dual-N+N	30V		1.7V	8.5A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SOP8	Dual-N+N	30V		1.7V	8.5A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
SOP8	Dual-N+N

详细参数说明：

1. **包装类型和配置：** SOP8 封装，适合于表面贴装应用，具有较高的集成度和良好的热性能。

2. **电气特性：**
- **宽电压容忍度：** 最大30V的漏极-源极电压（VDS），适合于中等电压范围的应用场合。
- **低导通电阻：** 在不同的栅极-源极电压下（4.5V和10V），分别为20mΩ和16mΩ，提供了低功耗和高效率的操作。
- **适中的漏极电流：** 最大漏极电流（ID）为8.5A，适用于一般功率负载的开关和控制。

3. **技术优势：**
- **Trench 技术：** 增强了导通能力和热稳定性，适合于高功率、高频率开关和高效能量转换的要求。

领域和模块应用：

应用示例：

AP6982M-VB MOSFET适用于以下领域和模块：

- **电源管理和转换器：** 在DC-DC转换器、稳压器和电源适配器中，作为功率开关元件，实现高效的电能转换和稳定的电源输出。

- **电池管理系统：** 用于电池充放电管理、电池保护和电池组电流控制，确保电池系统的安全性和效率。

- **消费类电子产品：** 如平板电脑、笔记本电脑等的电源管理电路中，用于提供稳定的电源输出和节能功能。

- **工业控制和汽车电子：** 在工业自动化和汽车电子系统中，作为电机控制、电动汽车充电管理和电源开关的关键组件。

这些示例展示了AP6982M-VB在多个电子应用中的广泛应用，显示其在现代电力电子领域中的重要性和高效能力。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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