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AP4532M-VB 产品详细

产品简介:

产品简介详

**AP4532M-VB** 是一种双通道(N+P通道)MOSFET,采用SOP8封装。它专为高效功率管理而设计,具有优异的导通电阻和电流处理能力。其采用先进的沟槽技术,使其在各种应用中具有高效的开关性能和低导通电阻。该器件适用于需要高电流和低导通损耗的应用,如电源管理模块和负载开关。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+P ±30V 1.6/-1.7V ±8A 24/50(mΩ) 18/40(mΩ) Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+P ±30V 1.6/-1.7V ±8A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+P ±30V 1.6/-1.7V ±8A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Dual-N+P
详细参数说明

| 参数 | 数值 |
| ---- | ---- |
| 封装 | SOP8 |
| 配置 | Dual-N+P-Channel |
| 漏源电压 (VDS) | ±30V |
| 栅源电压 (VGS) | ±20V |
| 门限电压 (Vth) | 1.6V(N通道) / -1.7V(P通道) |
| 导通电阻 (RDS(ON)) @ VGS=4.5V | 24mΩ(N通道) / 50mΩ(P通道) |
| 导通电阻 (RDS(ON)) @ VGS=10V | 18mΩ(N通道) / 40mΩ(P通道) |
| 连续漏极电流 (ID) | ±8A |
| 技术 | Trench |

领域和模块应用:

适用领域和模块

**AP4532M-VB** 具有高效的电流处理能力和低导通电阻,适用于以下领域和模块:

1. **电源管理模块**
- **DC-DC转换器**:在DC-DC转换器中,该MOSFET可以用作开关器件,通过其低导通电阻,减少开关损耗,提高转换效率。
- **负载开关**:由于其高电流处理能力和低导通电阻,该MOSFET非常适合用于负载开关,以确保系统在各种操作条件下的稳定性和效率。

2. **电机驱动**
- **小型电机控制器**:AP4532M-VB可以用于小型电机控制器中的功率开关部分,提供高效的电流传导和低热损耗,确保电机运行的稳定性。

3. **消费电子**
- **笔记本电脑和便携设备**:在笔记本电脑和其他便携设备中,该MOSFET可以用于电池管理系统和电源管理IC中,以提高电源管理的效率,延长设备的电池寿命。

4. **通信设备**
- **无线基站和路由器**:AP4532M-VB可用于无线基站和路由器的电源管理模块,确保这些设备在高负载条件下的高效能和低热耗。

通过这些应用实例,可以看出AP4532M-VB是一款多功能、高效能的MOSFET器件,能够满足现代电子设备对功率管理和高效能的需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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