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AP4517GM-VB 产品详细

产品简介:

一、AP4517GM-VB产品简介

AP4517GM-VB是一款双N+P沟道MOSFET,采用SOP8封装,适用于中高压电路中的功率管理和开关控制。该器件结合了先进的Trench技术,具有低导通电阻和高电流承载能力,能够在各种电子设备中提供稳定可靠的性能。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+P ±30V 1.6/-1.7V ±8A 24/50(mΩ) 18/40(mΩ) Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+P ±30V 1.6/-1.7V ±8A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+P ±30V 1.6/-1.7V ±8A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Dual-N+P
二、AP4517GM-VB详细参数说明

- **封装类型**:SOP8
- **配置**:双N+P沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**:±30V
- **栅极-源极电压 (VGS)**:20V(±V)
- **阈值电压 (Vth)**:
- N沟道:1.6V
- P沟道:-1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- N沟道:
- 24mΩ @ VGS = 4.5V
- 18mΩ @ VGS = 10V
- P沟道:
- 50mΩ @ VGS = 4.5V
- 40mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:
- 最大值:
- N沟道:±8A
- P沟道:±8A
- **技术类型**:Trench

领域和模块应用:

三、适用领域和模块应用举例

AP4517GM-VB适用于多个领域和应用模块中,展示出其广泛的应用潜力和性能优势:

1. **电源管理和转换器**:在高压电源适配器、开关电源和DC-DC转换器中,作为功率开关器件,能够处理中高压下的电流控制和电压转换,适用于需要高效能和稳定性能的电源管理系统。

2. **电动工具和家电**:在电动工具、家用电器中的电机驱动和电源开关控制中,能够提供高效的电流控制和功率管理,满足各种应用对高性能开关器件的需求。

3. **工业控制**:在工业自动化设备、电机驱动器和工业控制系统中,作为高压开关和电流控制器,支持精确的电动设备控制和高效能的工业过程管理。

4. **汽车电子**:在汽车电子系统中,如电动汽车的电池管理、电动马达控制和电动车充电系统中,能够提供可靠的电流控制和功率开关功能,支持电动车辆的高效能运行。

综上所述,AP4517GM-VB通过其双N+P沟道设计、高电压承载能力和优异的导通特性,适用于多种中高压、高性能和高效能要求的电子应用领域,是电路设计中的重要选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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