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AM4932N-T1-PF-VB 产品详细

产品简介:

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AM4932N-T1-PF-VB是一款先进的双N+N沟道MOSFET,采用了Trench技术制造。该型号封装为SOP8,适合于有空间限制的设计,并提供了布局灵活性。AM4932N-T1-PF-VB具有低导通电阻和高电流处理能力,适用于需要高效能和可靠性的电力管理和控制应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+N 30V 1.7V 8.5A 20(mΩ) 16(mΩ) Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+N 30V 1.7V 8.5A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+N 30V 1.7V 8.5A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Dual-N+N
详细参数说明

- **型号**: AM4932N-T1-PF-VB
- **封装**: SOP8
- **配置**: 双N+N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 20mΩ @ VGS=4.5V, 16mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 8.5A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

AM4932N-T1-PF-VB适用于多种高效率和高可靠性的电子应用领域:

1. **电源管理**:用于DC-DC转换器和电源开关,优化能量转换效率,降低系统能耗。

2. **电池管理**:在便携式电子设备、智能手机和平板电脑等的电池管理系统中,提供高效的充放电控制,延长电池寿命。

3. **电动车辆**:作为电动车辆的驱动器和充电系统的一部分,提供高效的电流控制和能量转换。

4. **工业自动化**:应用于工业控制系统和自动化设备中,提升设备响应速度和操作精度。

5. **通信设备**:用于无线通信设备和基站中的功率放大器和信号处理模块,确保信号传输的高质量和可靠性。

AM4932N-T1-PF-VB凭借其卓越的性能和可靠性,适用于各种要求高效率和高功率处理能力的电子设计和应用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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