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VBP17R10 产品详细

产品简介:

产品简介:

VBsemi公司推出的VBP17R10是一款Single N型MOSFET,具有高性能和可靠性。该产品采用Plannar技术,具有700V的漏极-源极电压(VDS),10A的漏极电流(ID),并且在VGS=10V时具有约1400mΩ的导通电阻。该产品封装为TO247,适用于多种应用场合。

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产品参数:

详细参数说明:

- 产品型号:VBP17R10
- 品牌:VBsemi
- MOSFET类型:Single N
- VDS(漏极-源极电压):700V
- VGS(栅极-源极电压):±30V
- Vth(阈值电压):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻:约1400mΩ
- ID(漏极电流):10A
- 技术:Plannar
- 封装:TO247

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:

1. 工业电力系统:VBP17R10可以用于工业电力系统中的电源开关控制,保证系统的稳定运行和高效转换。
2. 风力发电控制器:在风力发电控制器中,VBP17R10可以作为开关管,实现风力发电机组的电流控制和电压稳定。
3. 汽车电动化系统:作为汽车电动化系统中的关键元件,VBP17R10可用于电动汽车的电池管理和驱动控制,提高汽车的能效和性能。
4. 高压直流输电系统:在高压直流输电系统中,VBP17R10可以用于开关电路和功率控制,实现电能的高效传输和分配。

以上领域和模块需要具备高性能和可靠性的功率器件来确保系统的正常运行,而VBP17R10正是满足这些需求的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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