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VBP16R67S 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi的VBP16R67S是一款高性能的单N型功率MOSFET,具有优异的电性能和稳定性。该器件采用SJ_Multi-EPI技术制造,可靠性高,适用于各种工业和汽车应用。

详细参数说明:
1. 电压特性:VBP16R67S具有600V的最大漏极-源极电压(VDS),可适应各种高电压应用场景。
2. 电流特性:最大漏极电流(ID)达到67A,能够提供大电流输出,满足高功率需求。
3. 开关特性:具有低导通电阻(34mΩ),VGS=10V时,适用于高频开关模块,实现高效能的功率转换。

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产品参数:

参数:
- 极性:Single N
- 最大漏极-源极电压(VDS):600V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻(mΩ):34
- 最大漏极电流(ID):67A
- 技术:SJ_Multi-EPI
封装:TO247

领域和模块应用:

应用举例:
1. 工业电源模块:适用于工业级电源模块,如工业UPS、变频器和直流电源等,能够提供稳定可靠的功率输出。
2. 高压电子模块:适用于高压电子模块,如电力调节器、电动汽车充电器和电动机控制器等,能够承受高电压并实现稳定输出。
3. 高频开关模块:适用于高频开关模块,如无线电频率调节器、电力逆变器和变频器等,能够实现高效的功率开关和频率调节。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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