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AFN4214S8RG-VB 产品详细

产品简介:

AFN4214S8RG-VB MOSFET 产品简介

AFN4214S8RG-VB 是一款双 N+N-Channel MOSFET,采用 SOP8 封装。它支持最大 30V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压 (VGS),阈值电压 (Vth) 为 1.7V。采用 Trench 技术,该 MOSFET 在不同栅源电压下的导通电阻 (RDS(ON)) 分别为:
- 12mΩ @ VGS = 4.5V
- 10mΩ @ VGS = 10V

最大漏极电流 (ID) 为 13.5A。这使得它适用于需要高电压和高效电流控制的多种电子设备和应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+N 30V 1.7V 13.5A 12(mΩ) 10(mΩ) Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+N 30V 1.7V 13.5A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+N 30V 1.7V 13.5A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Dual-N+N
AFN4214S8RG-VB MOSFET 详细参数说明

- **型号**: AFN4214S8RG-VB
- **封装**: SOP8
- **配置**: 双 N+N-Channel
- **漏源电压 (VDS)**: 30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 12mΩ @ VGS = 4.5V
- 10mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 13.5A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

1. **电源管理**:
AFN4214S8RG-VB 可用于高效电源管理模块,如电源开关、DC-DC 转换器和稳压器。其低导通电阻和高漏极电流能力确保了电源系统的高效性和稳定性。

2. **电动工具**:
在电动工具中,如电动钻、锤和锯等设备中,该 MOSFET 可用于电机驱动和控制电路,提供高效的电源开关和驱动能力,增强设备的性能和可靠性。

3. **电动车辆**:
AFN4214S8RG-VB 在电动汽车或电动自行车中的电池管理和电机驱动系统中,能够有效地控制电流和电压,确保车辆的高效运行和能量回收。

4. **工业自动化**:
在工业控制系统中,该 MOSFET 可用于 PLC、马达控制和工业自动化设备中的电源开关和电机控制,提供可靠的电气性能和长期稳定性。

5. **LED 照明**:
对于需要高功率 LED 灯具和照明系统,AFN4214S8RG-VB 可以作为 LED 驱动器的关键组件,提供稳定的电流和可靠的调光控制。

通过以上示例可以看出,AFN4214S8RG-VB MOSFET 具有广泛的应用领域,特别适合需要高电压和高效电流控制的多种电子设备和应用场景。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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