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AFC4516WS8RG-VB 产品详细

产品简介:

一、AFC4516WS8RG-VB 产品简介

AFC4516WS8RG-VB是一款双N+P沟道功率MOSFET,采用SOP8封装,适合需要高效能转换和电源管理的电路设计。该器件采用Trench技术,具备优异的导通特性和稳定性。具有±30V的漏源电压(VDS)、±20V的栅源电压(VGS)以及1.8V(N-Channel)和-1.7V(P-Channel)的门限电压(Vth)。在4.5V栅源电压下,其导通电阻(RDS(ON))为13mΩ(N-Channel)和28mΩ(P-Channel),而在10V栅源电压下分别为11mΩ(N-Channel)和21mΩ(P-Channel)。支持最大10A(N-Channel)和-8A(P-Channel)的漏极电流(ID),适用于需要高效能转换和电源管理的应用场合。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+P ±30V 1.8/-1.7V 10/-8A 13/28(mΩ) 11/21(mΩ) Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+P ±30V 1.8/-1.7V 10/-8A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+P ±30V 1.8/-1.7V 10/-8A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Dual-N+P
二、AFC4516WS8RG-VB 详细参数说明

- **封装类型**:SOP8
- **配置**:双N+P沟道
- **漏源电压(VDS)**:±30V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **门限电压(Vth)**:
- N-Channel:1.8V
- P-Channel:-1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- N-Channel:
- 13mΩ @ VGS = 4.5V
- 11mΩ @ VGS = 10V
- P-Channel:
- 28mΩ @ VGS = 4.5V
- 21mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流(ID)**:
- N-Channel:10A
- P-Channel:-8A
- **技术类型**:Trench

领域和模块应用:

三、AFC4516WS8RG-VB 适用领域及模块举例

AFC4516WS8RG-VB适用于多种领域和模块,包括但不限于:

1. **电源管理**:
- **DC-DC转换器**:用于提供高效的电源转换和管理,例如在服务器电源、工业电源和通信设备中。
- **电动工具**:作为电动工具电池管理系统的关键组成部分,提供稳定和高效的功率转换。

2. **汽车电子**:
- **电动车辆**:用于电动汽车的动力电池管理和电机驱动控制,确保车辆动力系统的高效和可靠性。
- **车载电源系统**:在汽车电子中,用于电动汽车的动力管理和高压开关控制,提供稳定的电力输出。

3. **工业控制**:
- **工业自动化设备**:用于工业自动化控制系统中的电源开关和电源管理,确保设备运行的稳定性和可靠性。

AFC4516WS8RG-VB因其双N+P沟道设计和优异的电特性,特别适合需要高效率、高可靠性和长寿命的应用场合。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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