产品简介：
VBP16R25SFD是VBsemi公司生产的Single N型MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术制造。该器件具有600V的漏极-源极电压（VDS），30V的门极-源极电压（VGS），3.5V的门极阈值电压（Vth）。其封装为TO247。
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| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO247 | Single-N | 600V | 30（±V） | 3.5V | 25A | 110(mΩ) | SJ_Multi-EPI |
详细参数说明：
- 漏极-源极电压（VDS）：600V
- 门极-源极电压（VGS）：±30V
- 门极阈值电压（Vth）：3.5V
- 10V门极电压下的漏极-源极电阻（mΩ）：110mΩ
- 最大漏极电流（ID）：25A
- 技术：SJ_Multi-EPI
应用示例：
- 高频电源模块：由于VBP16R25SFD具有较高的漏极-源极电压和较大的漏极电流，适用于高频电源模块，如开关电源和逆变器。
- 电动汽车驱动器：该器件的高电压和大电流特性使其成为电动汽车驱动器中电源开关和逆变器的理想选择。
- 工业电子：在工业电子设备中，VBP16R25SFD可用于驱动高功率电机和执行其他高功率应用。
- 太阳能逆变器：由于其高性能和耐压特性，该器件可用于太阳能逆变器中，转换太阳能电池板产生的直流电为交流电。
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