MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBP165R96SFD 产品详细

产品简介:

VBP165R96SFD是一款单N型场效应晶体管,采用SJ_Multi-EPI技术制造,具有高性能和耐压特性,适用于高功率、高频率的电力电子应用。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

参数:  
- 单N型场效应晶体管  
- 额定漏极-源极电压VDS(V): 650  
- 门极-源极电压VGS(±V): 30  
- 阈值电压Vth(V): 3.5  
- 门极-源极电压为10V时的导通电阻(mΩ): 19  
- 最大漏极电流ID (A): 96  
- 技术:SJ_Multi-EPI  

封装:TO247  

领域和模块应用:

举例说明:

1. 高频电源模块:由于其低导通电阻和高频率特性,VBP165R96SFD适用于高功率、高频率的电源模块,可用于设计高效率的开关电源、变频器和无线充电设备。

2. 电力传输系统:在电力传输和分配系统中,VBP165R96SFD可用于设计高功率的开关设备,如智能电网、变电站和电力配电柜,实现电力的安全传输和分配。

3. 工业驱动器:VBP165R96SFD可用作功率开关器件,用于各种工业驱动器,如电机驱动器、变频空调系统和工业机器人,帮助实现高效能源管理和精密控制。

4. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,VBP165R96SFD可用作高功率开关器件,用于太阳能电池板的电能转换和逆变,提高逆变器的效率和可靠性。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
在线咨询
电话咨询
微信咨询