9578GP-VB - VBsemi MOS管制造商

9578GP-VB 产品详细

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产品简介：

1. 产品简介详细

VBsemi MOSFET 9578GP-VB 是一款封装为TO220的单P沟道型MOSFET。具有以下主要特性：

- **VDS (漏极-源极电压)**: -60V
- **VGS (栅极-源极电压)**: ±20V
- **Vth (门槽电压阈值)**: -1.7V
- **RDS(ON) (导通时漏极-源极电阻)**:
- 74mΩ @ VGS=4.5V
- 62mΩ @ VGS=10V
- **ID (漏极电流)**: -40A (负数表示P沟道MOSFET的漏极电流方向)
- **技术**: Trench 沟道技术

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-P	-60V		-1.7V	-40A		74(mΩ)	62(mΩ)	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-P						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-P	-60V		-1.7V	-40A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-P	-60V		-1.7V	-40A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
TO220	Single-P

2. 参数说明

- **封装**: TO220
- **电压参数**:
- 最大漏极-源极电压 (VDS): -60V
- 最大栅极-源极电压 (VGS): ±20V
- **性能参数**:
- 阈值电压 (Vth): -1.7V
- 导通电阻 (RDS(ON)):
- 74mΩ @ VGS=4.5V
- 62mΩ @ VGS=10V
- **电流参数**:
- 最大漏极电流 (ID): -40A
- **技术**: Trench 沟道技术

领域和模块应用：

3. 应用示例

9578GP-VB MOSFET 适用于多种领域和模块，例如：

- **电源管理**: 在负电压DC-DC转换器和稳压器中，提供高效的负电压调节和电流控制。
- **电池保护**: 在负电压电池管理系统中，用于电池充放电保护和管理。能够处理大电流负载，确保电池的安全和长寿命。
- **功率逆变**: 在负电压功率逆变器中，用于电源开关和功率调节。其高电流处理能力使其适用于大功率应用，如太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统。
- **汽车电子**: 在汽车电子系统中，用于高效的电源管理和负载控制，确保汽车电子设备的稳定运行。

这些示例展示了9578GP-VB MOSFET 在负电压电源管理、电池保护、功率逆变和汽车电子等领域的广泛应用。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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