MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBP165R20SE 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi的VBP165R20SE是一款单N沟道场效应晶体管(Single N)产品。具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),3.5V的阈值电压(Vth),以及20A的漏极电流(ID)。采用SJ_Deep-Trench技术,封装为TO247。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):650V
- 门-源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):150
- 漏极电流(ID):20A
- 技术:SJ_Deep-Trench
- 封装:TO247

领域和模块应用:

应用领域和模块示例:
1. 工业电力系统:由于VBP165R20SE具有较高的漏极-源极电压和漏极电流,适用于工业电力系统中的功率开关模块,如工业变频器、UPS系统等。
2. 太阳能逆变器:其低导通电阻和高耐压特性使其适用于太阳能逆变器模块,可用于太阳能发电系统中的功率转换和控制。
3. 电动汽车驱动系统:TO247封装适合高功率密度应用,VBP165R20SE可用于电动汽车驱动系统的功率开关模块,提供高效率和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
在线咨询
电话咨询
微信咨询