8NM50N-VB TO220 - VBsemi MOS管制造商

8NM50N-VB TO220 产品详细

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产品简介：

8NM50N-VB MOSFET 产品简介

8NM50N-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 Plannar 技术制造，封装为 TO220。它具有高达500V 的漏源电压 (VDS) 能力，适合于中等电压应用的电路设计。该器件的栅源电压 (VGS) 为 ±30V，阈值电压 (Vth) 约为 3.1V。在 VGS=10V 时，导通电阻 (RDS(ON)) 为660mΩ，漏极电流 (ID) 最大可达13A。这些特性使得该器件在需要处理中等电压和较大电流的应用中具有优越的性能。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-N	500V		3.1V	13A			660(mΩ)	Plannar

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-N						Plannar

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-N	500V		3.1V	13A		Plannar

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-N	500V		3.1V	13A		Plannar

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
TO220	Single-N

8NM50N-VB 详细参数说明

- **封装形式**：TO220
- **配置**：单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**：500V
- **栅源电压 (VGS)**：±30V
- **阈值电压 (Vth)**：3.1V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 660mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：13A
- **技术**：Plannar

领域和模块应用：

适用领域和模块举例

电源供应和开关电路
8NM50N-VB TO220 MOSFET 在电源供应和开关电路中具有广泛的应用。例如，它可以用于开关电源电路、DC-DC 转换器和电力适配器，提供高效的电力转换和稳定的电压输出。

照明控制
在 LED 照明和工业照明系统中，该器件可用于驱动电路、照明控制单元和调光系统，支持节能和高效的照明解决方案。

电动工具和汽车电子
8NM50N-VB 适用于电动工具、汽车电子和电动车辆中的功率开关和电动驱动控制。它能够处理动态负载和高功率需求，保证设备和车辆的稳定性和可靠性。

以上例子展示了该型号 MOSFET 在多种领域和模块中的应用，说明其在高压、高功率环境下的优越性能和广泛适用性。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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