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76413P-VB 产品详细

产品简介:

产品简介:

MOSFET型号:76413P-VB
封装:TO220
配置:单N沟道
耐压(VDS):60V
栅极-源极电压(VGS):±20V
阈值电压(Vth):1.7V
导通电阻(RDS(ON)):28mΩ @ VGS=4.5V, 24mΩ @ VGS=10V
漏极电流(ID):50A
技术:Trench

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 50A 28(mΩ) 24(mΩ) Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 50A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 50A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
参数说明:

- **封装类型(Package):** TO220,适合中功率应用,具有良好的散热性能和机械强度。

- **配置(Configuration):** 单N沟道,适用于各种功率开关和控制电路设计。

- **耐压(VDS):** 60V,能够处理中等电压范围的电路需求。

- **栅极-源极电压(VGS):** ±20V,支持广泛的栅极驱动电压范围。

- **阈值电压(Vth):** 1.7V,设定了启动MOSFET导通的门电压。

- **导通电阻(RDS(ON)):** 在不同的栅极驱动电压下,分别为28mΩ @ VGS=4.5V 和 24mΩ @ VGS=10V,表现出较低的导通电阻,有助于降低功耗和热损失。

- **漏极电流(ID):** 50A,适合需要处理中等电流负载的应用场合。

- **技术特性(Technology):** Trench,采用沟道(Trench)结构,提升了器件的开关速度和可靠性。

领域和模块应用:

应用示例:

1. **电源管理系统:** 76413P-VB可用于电源管理单元、开关电源和电压调节器中,提供高效的能量转换和稳定的电压输出。

2. **电机驱动器:** 在电动工具、电动车辆和工业机械中,该MOSFET可作为电机驱动器的开关元件,支持高效的电机控制和能量回馈。

3. **LED照明系统:** 在LED驱动器和照明控制电路中,76413P-VB能够提供稳定的电流和电压调节,确保LED灯具的长寿命和高效能。

76413P-VB结合了较低的导通电阻和中等功率承载能力,适用于需要中等功率密度和稳定性能的各种功率电子应用领域。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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