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VBN165R20S 产品详细

产品简介:

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VBsemi品牌的VBN165R20S是一款单N沟道MOSFET器件,具有高性能和可靠性。采用SJ_Multi-EPI技术制造,封装为TO262。该器件具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的门源电压(VGS)、3.5V的阈值电压(Vth),在VGS=10V时的导通电阻为160mΩ,最大漏极电流(ID)为20A。

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产品参数:

详细参数说明:

- 产品型号:VBN165R20S
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道MOSFET
- 漏极-源极电压(VDS):650V
- 门源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻:160mΩ
- 最大漏极电流(ID):20A
- 制造工艺:SJ_Multi-EPI
- 封装形式:TO262

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:

1. 电源模块:VBN165R20S可用于各种电源模块,如开关电源、UPS(不间断电源)、工业电源等,实现高效能的电力转换和控制。
2. 汽车电子:在汽车电子系统中,该器件适用于发动机控制单元(ECU)、电池管理系统(BMS)和电动汽车驱动系统等功率开关模块,提供可靠的电力控制和保护。
3. 电动工具:VBN165R20S可用于电动工具中的电机驱动模块,如电动钻、电动锤等,提供高效的电力输出和控制。
4. 工业自动化:在工业控制系统中,该器件可用于各种电机控制、开关控制和电力调节模块,实现工业设备的高效运行。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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