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4513M-VB 产品详细

产品简介:

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4513M-VB 是一款双N+P-通道MOSFET,采用SOP8封装。它具有±30V的漏源电压(VDS)和20V的栅源电压(VGS),以及1.6V(N-通道)和-1.7V(P-通道)的阈值电压(Vth)。该器件采用先进的沟槽(Trench)技术制造,具有优异的导通电阻特性,在VGS为4.5V时的导通电阻(RDS(ON))为24mΩ(N-通道)和50mΩ(P-通道),在VGS为10V时的导通电阻(RDS(ON))为18mΩ(N-通道)和40mΩ(P-通道)。其最大漏电流(ID)为±8A,适用于高效能源管理和开关电路。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+P ±30V 1.6/-1.7V ±8A 24/50(mΩ) 18/40(mΩ) Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+P ±30V 1.6/-1.7V ±8A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+P ±30V 1.6/-1.7V ±8A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Dual-N+P
详细参数说明

- **封装类型**:SOP8
- **配置**:双N+P-通道
- **漏源电压(VDS)**:±30V
- **栅源电压(VGS)**:20V(±)
- **阈值电压(Vth)**:
- N-通道:1.6V
- P-通道:-1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- @ VGS=4.5V:
- N-通道:24mΩ
- P-通道:50mΩ
- @ VGS=10V:
- N-通道:18mΩ
- P-通道:40mΩ
- **漏电流(ID)**:
- N-通道:±8A
- P-通道:±8A
- **技术**:沟槽(Trench)

领域和模块应用:

应用领域和模块

4513M-VB MOSFET适用于多种应用领域和模块,包括但不限于:

1. **电源管理**:
- 在DC-DC转换器和电源适配器中,4513M-VB可用作高效能量转换和电压稳定的关键组件。
- 在LED驱动电路中,能够提供稳定的电流输出,确保LED灯具的高效亮度和长寿命。

2. **电机驱动**:
- 在电动工具和家用电器中,该MOSFET可以用作电机控制开关,实现高效能量转换和电机运行控制。
- 在工业自动化设备中,能够驱动各种类型的电机和执行器,实现精确的运动控制和系统集成。

3. **电动车辆**:
- 在电动汽车的电动驱动系统中,4513M-VB能够支持高电压和高电流的操作,确保车辆的动力输出和能效。

4. **工业控制**:
- 在工业控制器和自动化系统中,能够提供可靠的电源管理和电路保护功能,保证设备和系统的长期稳定运行。

通过以上应用示例,可以看出4513M-VB在现代电子设备、电动车辆、工业自动化和电源管理系统中具有广泛的应用潜力和高效的性能特性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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