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VBMB185R04 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi的VBMB185R04型号是一款Single N型的功率场效应晶体管(MOSFET),封装为TO220F。该器件采用Plannar技术制造,具有出色的性能和可靠性。其主要特点包括额定漏极-源极电压(VDS)为850V,最大漏极电流(ID)为4A,开启电压(Vth)为3.5V,以及在VGS=10V时的导通电阻为2700mΩ。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBMB185R04
- 品牌:VBsemi
- 参数:
- 类型:Single N
- 额定漏极-源极电压(VDS):850V
- 额定栅极-源极电压(VGS):±30V
- 开启电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻:2700mΩ
- 最大漏极电流(ID):4A
- 技术:Plannar
- 封装:TO220F

领域和模块应用:


应用领域举例:
1. 低压直流电源:VBMB185R04可用于低压直流电源模块中的功率开关电路,如稳压器、直流转换器等,用于稳定输出电压和电流。
2. 电动车电机驱动器:该器件也适用于电动车电机驱动器模块,用于控制电动车的电机启停和转速调节,实现高效、可靠的动力传输。
3. 电源逆变器:VBMB185R04可应用于电源逆变器中的功率开关模块,如逆变器、变频器等,用于将直流电转换为交流电,供电给各种家用电器和工业设备。

这些领域和模块需要使用功率MOSFET来控制电流和电压,而VBMB185R04的性能特点使其成为这些应用中的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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