42DN20N-VB - VBsemi MOS管制造商

42DN20N-VB 产品详细

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参数
应用
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产品简介：

一、42DN20N-VB 产品简介

42DN20N-VB是一款单N沟道MOSFET，采用DFN8(3X3)封装。该产品具有250V的漏源极电压（VDS），20V的栅源极电压（VGS），3.5V的阈值电压（Vth），以及10.3A的漏极电流（ID）。42DN20N-VB采用沟槽技术，提供高性能和可靠性，适用于多种高压应用场合。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
DFN8(3X3)	Single-N	250V		3.5V	10.3A			125(mΩ)	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
DFN8(3X3)	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
DFN8(3X3)	Single-N	250V		3.5V	10.3A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
DFN8(3X3)	Single-N	250V		3.5V	10.3A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
DFN8(3X3)	Single-N

二、42DN20N-VB 详细参数说明

| 参数 | 数值 |
|--------------------|--------------------------|
| 封装 | DFN8(3X3) |
| 配置 | 单N沟道 |
| 漏源极电压 (VDS) | 250V |
| 栅源极电压 (VGS) | ±20V |
| 阈值电压 (Vth) | 3.5V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 125mΩ @ VGS=10V |
| 漏极电流 (ID) | 10.3A |
| 技术 | 沟槽技术 (Trench) |

领域和模块应用：

三、42DN20N-VB 应用领域和模块示例

1. **电源管理模块**：
42DN20N-VB由于其高漏源极电压（250V）和较低的导通电阻（125mΩ），适用于高效能耗和高可靠性的电源管理模块，如服务器电源和工业电源。

2. **光伏逆变器**：
在光伏逆变器中，42DN20N-VB可用于高压开关和控制，提供高效的能量转换和稳定的性能。

3. **电动汽车充电站**：
42DN20N-VB可用于电动汽车充电站的高压开关和电源管理模块，帮助实现快速充电和高效能耗。

4. **工业自动化**：
42DN20N-VB适用于工业自动化中的高压控制和开关模块，提供高性能和可靠性，满足复杂工业环境的需求。

5. **高压照明系统**：
42DN20N-VB可用于高压LED驱动器和其他高压照明系统，提供高效能量管理和长寿命。

综上所述，42DN20N-VB MOSFET具有广泛的应用前景，尤其在高压应用领域中具有重要作用，能够满足多种高性能开关器件的需求。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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