3N90L-TA3-T-VB - VBsemi MOS管制造商

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3N90L-TA3-T-VB TO220 MOSFET 产品简介

3N90L-TA3-T-VB 是一款高性能的单 N 沟道场效应管，专为各种电子应用中的高效能管理而设计。采用 TO-220 封装，该 MOSFET 具有卓越的热性能和可靠性，适用于各种严苛的环境。具有 900V 的漏极-源极电压（VDS）和 ±30V 的栅极-源极电压（VGS），在不同工作条件下提供稳健的性能。该器件具有低的栅极阈值电压（Vth）为 3.5V，确保在低电压电路中易于使用。3N90L-TA3-T-VB 采用 SJ_Multi-EPI 技术，提供低导通电阻，增强能效并减少热量产生。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-N	900V		3.5V	5A			1500(mΩ)	SJ_Multi-EPI

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-N						SJ_Multi-EPI

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-N	900V		3.5V	5A		SJ_Multi-EPI

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-N	900V		3.5V	5A		SJ_Multi-EPI

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
TO220	Single-N

详细参数说明

- **封装**：TO-220
- **配置**：单 N 沟道
- **VDS（漏极-源极电压）**：900V
- **VGS（栅极-源极电压）**：±30V
- **Vth（栅极阈值电压）**：3.5V
- **RDS(ON)（导通电阻）**：1500mΩ @ VGS = 10V
- **ID（持续漏极电流）**：5A
- **技术**：SJ_Multi-EPI

领域和模块应用：

应用示例

1. **电源开关**: 3N90L-TA3-T-VB 可以用于开关电源和变换器中的功率开关，有效地控制和转换电能，提高系统效率。

2. **照明系统**: 在 LED 照明系统中，该 MOSFET 可以用作驱动器，控制 LED 的亮度和工作模式，提供高效的照明解决方案。

3. **电动汽车充电器**: 由于其高耐压和低导通电阻，3N90L-TA3-T-VB 适用于电动汽车充电器中的功率开关，实现高效能的电能转换。

4. **工业电机控制**: 在工业领域，该 MOSFET 可以用于控制各种类型的电机，提高工业设备的效率和可靠性。

5. **UPS 系统**: 在不间断电源系统中，3N90L-TA3-T-VB 可以用作功率开关，确保在停电时提供可靠的电能备份。

通过在这些应用中使用 3N90L-TA3-T-VB MOSFET，设计者可以实现改进的性能、能效和可靠性，确保其电子系统的最佳运行。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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