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310N10F7-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

310N10F7-VB 是一款由 VBsemi 生产的单 N 沟道功率 MOSFET,采用 TO-220 封装。该器件具有 100V 的漏源电压(VDS)和 ±20V 的栅源电压(VGS),以及 180A 的连续漏极电流(ID)。采用沟槽技术,310N10F7-VB 具有极低的导通电阻和高电流承载能力,适用于高功率应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 100V 3V 180A 3(mΩ) Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 100V 3V 180A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 100V 3V 180A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **型号**: 310N10F7-VB
- **封装类型**: TO-220
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 100V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 3mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流 (ID)**: 180A
- **技术**: 沟槽

领域和模块应用:

应用领域和模块举例

310N10F7-VB MOSFET 适用于多种高功率应用,包括但不限于:

1. **电源转换器**:
- 在高功率电源转换器中,如开关电源、逆变器等,310N10F7-VB 的低导通电阻和高电流承载能力可以提高系统效率。

2. **电机驱动**:
- 在高功率电机驱动系统中,如电动汽车控制、工业电机控制等,310N10F7-VB 可以提供可靠的电源开关控制。

3. **电池管理**:
- 在需要高功率电池管理的系统中,如电动工具、无人机等,310N10F7-VB 可以提供高效的电源控制。

4. **工业控制**:
- 在需要高功率控制的工业控制系统中,310N10F7-VB 可以提供稳定可靠的功率开关控制。

5. **医疗设备**:
- 在需要高功率处理的医疗设备中,310N10F7-VB 可以提供可靠的电源开关控制,如医疗成像设备、手术器械等。

总的来说,310N10F7-VB 是一款性能优异的高功率 MOSFET,适用于各种需要高功率处理能力的应用场合,能够提高系统的效率和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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