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2SK3663-T1-A-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

2SK3663-T1-A-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用紧凑的SC70-3封装。该器件具有20V的漏源电压(VDS)和±12V的栅源电压(VGS),适用于各种低电压应用。其采用Trench技术,具有较低的导通电阻和适中的漏极电流(ID),非常适合空间有限且需要高效能的电子设备。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SC70-3 Single-N 20V 0.5~1.5V 4A 48(mΩ) 40(mΩ) 36(mΩ) Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SC70-3 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SC70-3 Single-N 20V 0.5~1.5V 4A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SC70-3 Single-N 20V 0.5~1.5V 4A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SC70-3 Single-N
详细参数说明

- **型号**: 2SK3663-T1-A-VB
- **封装**: SC70-3
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压(VDS)**: 20V
- **栅源电压(VGS)**: ±12V
- **阈值电压(Vth)**: 0.5~1.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 48mΩ @ VGS=2.5V
- 40mΩ @ VGS=4.5V
- 36mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**: 4A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块举例

1. **便携式电子设备**:
2SK3663-T1-A-VB 适用于便携式电子设备,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理模块。其紧凑的封装和低导通电阻使其非常适合这些空间有限但需要高效能的应用。

2. **电池管理系统**:
在电池管理系统(BMS)中,2SK3663-T1-A-VB 可用作电源开关或保护电路,帮助控制电池的充放电过程。其低阈值电压和低导通电阻有助于提高系统的整体效率和安全性。

3. **LED驱动器**:
这款MOSFET 适用于LED驱动器电路中,作为开关元件来调节电流。其高效能和低功耗特性有助于提高LED照明系统的亮度和寿命,同时降低能耗。

4. **信号放大器**:
在信号放大器电路中,2SK3663-T1-A-VB 可用作放大元件。其低导通电阻和适中的漏极电流有助于提高信号放大的精度和稳定性,适用于音频和射频放大器。

5. **低电压DC-DC转换器**:
该器件还适用于低电压DC-DC转换器中,作为主开关或同步整流器。其低导通电阻和高效率有助于提高转换器的性能和效率,广泛应用于嵌入式系统和便携式设备中。

综上所述,2SK3663-T1-A-VB 是一款适用于便携式电子设备、电池管理系统、LED驱动器、信号放大器和低电压DC-DC转换器等领域的MOSFET,其紧凑的封装和高效能特性使其成为这些应用的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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