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2SK3364-01-VB 产品详细

产品简介:

产品简介:2SK3364-01-VB MOSFET

2SK3364-01-VB 是一款由VBsemi生产的高性能单N沟道MOSFET,采用TO220封装。该器件设计用于提供高效率和可靠性,适用于各种电力和开关应用。2SK3364-01-VB 的主要特点包括60V的漏极-源极电压(VDS)、±20V的栅极-源极电压(VGS),以及60A的漏极电流(ID)。器件采用Trench技术,具有较低的导通电阻(RDS(ON))和快速的开关特性,使其在中功率应用中表现出色。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 60A 13(mΩ) 11(mΩ) Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 60A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 60A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **型号**: 2SK3364-01-VB
- **封装**: TO220
- **配置**: 单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 60V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 13mΩ @ VGS = 4.5V, 11mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 60A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

1. **电源管理**: 由于2SK3364-01-VB 具有较低的导通电阻和适中的漏极电流能力,因此适用于中功率开关电源和直流-直流转换器。

2. **电池管理**: 在锂电池组中,MOSFET 用于电池的充放电管理和保护。2SK3364-01-VB 的低RDS(ON)和适中的ID 特性使其成为电池管理电路中的理想选择。

3. **电动汽车驱动**: 电动汽车需要高功率的开关器件来驱动电机。2SK3364-01-VB 可以用于电动汽车的电机驱动器中,提供可靠的开关功能。

4. **工业控制**: 在工业控制系统中,2SK3364-01-VB 可以用作开关器件,用于控制各种电力设备和电动机。

综上所述,2SK3364-01-VB MOSFET 以其中功率特性和可靠性,适用于电源管理、电池管理、电动汽车驱动和工业控制等多个领域,助力实现高效能和稳定运行。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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