2SK3363-01-VB - VBsemi MOS管制造商

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2SK3363-01-VB是一款高性能单N沟道MOSFET，采用TO220封装。具有30V的漏源电压和120A的漏极电流，适用于需要高电流和中功率处理能力的电子设备中。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-N	30V		1.7V	120A		4(mΩ)	3(mΩ)	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-N	30V		1.7V	120A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-N	30V		1.7V	120A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
TO220	Single-N

详细参数说明

- **型号：** 2SK3363-01-VB
- **封装：** TO220
- **配置：** 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)：** 30V
- **栅源电压 (VGS)：** ±20V
- **栅阈值电压 (Vth)：** 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))：**
- 4mΩ @ VGS=4.5V
- 3mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)：** 120A
- **技术：** 沟槽技术

领域和模块应用：

应用领域和模块示例

1. **电源管理：**
- 2SK3363-01-VB适用于需要高电流处理能力的电源管理模块，如高功率DC-DC转换器和AC-DC适配器。

2. **电动汽车：**
- 在电动汽车中，该MOSFET可用于电机控制器和电池管理系统（BMS），提供高效能和可靠的功率传输。

3. **工业控制：**
- 在工业控制系统中，2SK3363-01-VB可以用于电机控制器和电源模块，提供高效的电力传输和稳定的电源供应。

4. **电源逆变器：**
- 在电源逆变器中，该器件可用于高功率转换器和逆变器模块，实现直流到交流的高效转换。

5. **医疗设备：**
- 在医疗设备中，该MOSFET可用于高功率电源模块和电机控制器，确保设备稳定运行和高效的能源管理。

2SK3363-01-VB以其优越的电气性能和可靠性，广泛应用于多个领域的高电流和中功率应用中，为现代电子设备的高性能和高可靠性提供了关键支持。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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