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2SK3109-VB 产品详细

产品简介:

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2SK3109-VB 是一款采用 TO220 封装的单 N 沟道 MOSFET。该器件具有 200V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压 (VGS),适用于高压开关和控制应用。其采用了 Trench 技术,具有较低的导通电阻 (RDS(ON)) 和高电流处理能力。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 10A 310(mΩ) 270(mΩ) Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 10A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 10A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **型号**:2SK3109-VB
- **封装**:TO220
- **配置**:单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**:200V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**:3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:310mΩ @ VGS = 4.5V, 270mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:10A
- **技术**:Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

2SK3109-VB MOSFET 可以应用于多个领域和模块,以下是一些具体的示例:

1. **电源开关模块**:在高压电源开关模块中,如开关电源和逆变器,该器件可以用作主要开关器件。其高电压处理能力和较低的导通电阻使其适用于高功率转换和高效能电源管理。

2. **电机驱动器**:在高压电机控制应用中,2SK3109-VB 可以用作电机驱动器的开关元件。其高电压处理能力和较低的导通电阻可以提供高效的电机控制和稳定的性能。

3. **电池管理系统**:在需要高压处理能力的电池管理系统中,该器件可以用于充放电控制和保护。其较低的导通电阻和高电压处理能力可以延长电池寿命并提高系统效率。

4. **工业控制**:在需要高压开关器件的工业控制系统中,2SK3109-VB 可以用于各种控制和驱动应用。其高电压处理能力和低导通电阻可以提供稳定的性能和可靠的操作。

5. **照明系统**:在需要高压处理的照明系统中,如LED照明和高压放电灯,该器件可以用作驱动器的开关元件。其较低的导通电阻和高电压处理能力可以提供稳定的电流输出和高效的能量转换。

2SK3109-VB 具有较低的导通电阻和高电压处理能力,适用于高压应用,是电子系统中的一种高性能解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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