VBM1602是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于高功率控制和驱动应用。其主要参数包括：
- 额定漏极-源极电压（VDS）为60V，适用于高功率应用。
- 最大栅极-源极电压（VGS）为20V，提供了较宽的工作范围。
- 阈值电压（Vth）为3V，适合于中等压控制电路。
- 在VGS=4.5V时的导通电阻为3mΩ，在VGS=10V时的导通电阻为2mΩ，具有较低的导通电阻，适用于高功率功率转换。
- 最大漏极电流（ID）为270A，具有高功率处理能力。
- 采用Trench技术，具有优良的电气特性和可靠性。

VBM1602适用于高功率控制和驱动应用，包括电机驱动模块、电源转换模块、电焊设备控制模块等领域。