VBL1803是VBsemi推出的单通道N型MOSFET器件,具有高漏极-源极电压、低漏极-源极电阻和高漏极电流等特点,适用于高功率、高压的应用环境。它可广泛应用于各种功率电子系统中。
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| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp(V) | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO263 | Single-N | 80V | 20(±V) | 3V | 230A | 3.1 (mΩ) | Trench |
产品型号: VBL1803
品牌: VBsemi
参数:
- 架构: 单N型
- 最大漏极-源极电压(VDS): 80V
- 栅-源电压(VGS): ±20V
- 阈值电压(Vth): 3V
- VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ): 3.1
- 最大漏极电流(ID): 230A
- 技术: Trench
封装: TO263
举例说明:
1. **电源管理模块**:
VBL1803可用于电源管理模块中的电源开关和电压调节器,提供稳定的电源输出,并保护电路免受过载和短路的影响。
2. **电动汽车充电模块**:
在电动汽车充电模块中,VBL1803可用作充电器的功率开关,帮助控制充电电流和电压,确保电动汽车的安全和快速充电。
3. **工业控制模块**:
在工业控制模块中,VBL1803可用于电机控制、温度控制和照明控制等部分,提供稳定可靠的功率输出,提高设备的性能和效率。
4. **太阳能逆变器模块**:
作为太阳能逆变器模块中的功率开关器件,VBL1803能够有效地将太阳能电池板收集的直流电转换为交流电,为家庭和工业用电提供清洁能源。
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