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VBL17R11SE 产品详细

产品简介:

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VBL17R11SE是VBsemi品牌的单N沟道场效应管,具有700V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-源极电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。该产品采用SJ_Deep-Trench技术,封装为TO263。其主要特点是具有360mΩ的导通电阻(在VGS=10V时)和11A的漏极电流(ID)。

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产品参数:

详细参数说明:
- 型号:VBL17R11SE
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道场效应管
- 漏极-源极电压(VDS):700V
- 栅极-源极电压(VGS):30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 导通电阻(VGS=10V时):360mΩ
- 漏极电流(ID):11A
- 技术:SJ_Deep-Trench
- 封装:TO263

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 太阳能逆变器:VBL17R11SE具有较高的耐压和导通电阻,适用于太阳能逆变器中的高功率转换器,提高太阳能电池板的能源转换效率。
2. 电动汽车充电桩:产品的高耐压和漏极电流特性使其成为电动汽车充电桩中功率电子器件的理想选择,可用于直流-直流转换器和逆变器。
3. 工业控制系统:在工业控制系统中,VBL17R11SE可用于开关电源控制和电机驱动,实现高效率的能源转换和电机控制。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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