产品简介：
VBL17R04SE 是 VBsemi 生产的单 N 沟道 MOSFET。该产品适用于各种需要高性能和可靠性的应用场合。具有 700V 的 VDS 评级和 4A 的连续漏极电流（ID），采用 SJ_Deep-Trench 技术，确保在各种环境下的稳定和可靠性。

详细参数说明：
- VDS(V)：漏极-源极电压 - 700V
- VGS(±V)：栅极-源极电压（±） - 30V
- Vth(V)：阈值电压 - 3.5V
- VGS=10V(mΩ)：在 VGS=10V 时的导通电阻 - 1200 mΩ
- ID (A)：连续漏极电流 - 4A
- Technology：SJ_Deep-Trench