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VBL1104N 产品详细

产品简介:

VBsemi的VBL1104N是一款单N沟道功率MOSFET,具有高性能和可靠性,适用于各种功率电子应用。其特点包括高漏极-源极电压和漏极电流能力,以及低阈值电压和漏极-源极电阻,适合要求高效率和高功率的电源和驱动器应用。

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产品参数:

**参数:**
- **类型:** Single N
- **最大漏极-源极电压 (VDS):** 100V
- **最大栅极-源极电压 (VGS):** ±20V
- **阈值电压 (Vth):** 1.8V
- **在VGS=4.5V时的漏极-源极电阻 (mΩ):** 35mΩ
- **在VGS=10V时的漏极-源极电阻 (mΩ):** 30mΩ
- **最大漏极电流 (ID):** 45A
- **技术:** Trench
- **封装:** TO263

领域和模块应用:


**举例说明:**
1. **电动汽车电池管理模块:**
VBL1104N可用作电动汽车电池管理模块中的功率开关,用于控制电动汽车的电池充放电过程。其高漏极-源极电压和电流容量能够支持电动汽车高功率充放电需求,同时低阈值电压和漏极-源极电阻有助于降低能量损耗和提高系统效率。

2. **太阳能逆变器模块:**
在太阳能逆变器中,VBL1104N可用作功率开关器件,将太阳能电池板收集到的直流电转换为交流电以供家庭或商业用途。其高电压和电流能力能够支持太阳能逆变器的高功率输出,同时低阈值电压和漏极-源极电阻有助于减小逆变器的开关损耗和提高系统效率。

3. **工业高频电源模块:**
作为工业高频电源模块中的功率开关器件,VBL1104N能够提供稳定可靠的功率转换,用于工业设备的供电。其高漏极-源极电压和电流容量能够支持高功率工业设备的运行,同时低阈值电压和漏极-源极电阻有助于降低能量损耗和提高系统效率。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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