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VBI3638 产品详细

产品简介:

VBI3638是一款双N沟道MOSFET,具有低导通电阻和高电流的特点,适用于各种功率电路设计。

1. **Dual N+N**:双N沟道MOSFET。
2. **VDS(V)**:漏极-源极电压,最大可承受电压为60V。
3. **VGS(±V)**:栅极-源极电压,最大可承受正负20V。
4. **Vth(V)**:阈值电压,当栅极电压达到1.7V时,晶体管开始导通
5. **VGS=4.5V时的导通电阻(mΩ)**:在栅极-源极电压为4.5V时的导通电阻为45mΩ。
6. **VGS=10V时的导通电阻(mΩ)**:在栅极-源极电压为10V时的导通电阻为33mΩ。
7. **ID (A)**:最大漏极电流为7A。
8. **Technology**:采用Trench技术。

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产品参数:

参数:
- Dual N+N
- VDS(V): 60
- VGS(±V): 20
- Vth(V): 1.7
- VGS=4.5V时的导通电阻(mΩ):45
- VGS=10V时的导通电阻(mΩ):33
- ID (A):7
- Technology:Trench

封装:SOT89-6

领域和模块应用:

以下是该产品在不同领域和对应模块上的应用示例:

1. **电动车充电领域**:
- **电动车充电控制模块**:用于电动车充电桩中的充电控制电路,控制充电桩对电动车进行充电,适用于电动车充电桩模块。

2. **LED照明驱动领域**:
- **LED驱动模块**:作为LED灯具中的功率开关元件,控制LED的亮度和开关,适用于LED灯具的驱动模块。

3. **电源管理领域**:
- **开关电源控制模块**:用于开关电源中的控制电路,实现电能的转换和稳定输出,适用于各种开关电源设备。

4. **电动工具领域**:
- **电动工具控制模块**:用于电动工具中的功率开关控制,控制电动工具的启停和转速,适用于各种电动工具设备。

5. **电池管理领域**:
- **电池保护模块**:作为电池管理系统中的保护元件,防止电池过充、过放、短路等情况发生,适用于各种电池管理系统模块。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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