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VBGL1151N 产品详细

产品简介:

VBGL1151N是一种单N型晶体管的器件,适用于多种领域和模块,包括**电动汽车电机控制**:太阳能逆变器,工业自动化设备,医疗设备。其稳定的性能和高效的能量转换能力可以确保医疗设备的安全运行和稳定输出,满足医疗行业对设备可靠性和性能的要求。

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产品参数:

产品型号:VBGL1151N
品牌:VBsemi
参数:
- 类型:Single N
- 额定漏极-源极电压(VDS):150V
- 额定栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):3V
- 栅极-源极电压为10V时的漏极电阻(mΩ):10.4
- 最大漏极电流(ID):80A
- 技术:SGT
封装:TO263

领域和模块应用:

该产品适用于以下领域和模块:

1. **电动汽车电机控制**:
由于VBGL1151N具有较高的额定漏极-源极电压和漏极电流能力,以及低漏极电阻,适合用于电动汽车中的电机控制模块。它可以在高压和高电流条件下提供稳定的功率输出,实现电动汽车的高效驱动和能量转换。

2. **太阳能逆变器**:
该型号MOSFET的特性使其非常适合用于太阳能逆变器中的功率开关模块。其高额定漏极-源极电压和漏极电流能力,以及低漏极电阻,有助于实现太阳能电能的高效转换和稳定输出,提高太阳能发电系统的整体性能。

3. **工业自动化设备**:
VBGL1151N可以用于工业自动化设备中的电力控制模块,如电机驱动器、变频器等。其高功率和可靠性使其能够满足工业环境中的高压、高温和高电流要求,为工业生产提供可靠的电力控制。

4. **医疗设备**:
该型号MOSFET也可应用于医疗设备中的电源管理模块,如医疗成像设备、手术器械等。其稳定的性能和高效的能量转换能力可以确保医疗设备的安全运行和稳定输出,满足医疗行业对设备可靠性和性能的要求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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