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VBFB19R05SE 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi 的 VBFB19R05SE 是一款单 N 型 MOSFET,适用于各种电力应用场景。采用了 SJ_Deep-Trench 技术,具有高达 900V 的漏极-源极电压(VDS),并且具有优秀的电性能和可靠性。该产品封装为 TO251,易于安装和使用。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBFB19R05SE
- 品牌:VBsemi
- 类型:单 N 型 MOSFET
- 最大漏极-源极电压(VDS):900V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在 VGS=10V 时的漏极-源极电阻(mΩ):1000
- 最大漏极电流(ID):5A
- 技术:SJ_Deep-Trench
- 封装:TO251

领域和模块应用:




应用举例:
该产品适用于各种领域和模块,例如:
1. 电源系统:由于具有较高的漏极-源极电压和低漏极-源极电阻,可用于开关电源、直流-直流转换器等电源模块。
2. 电动汽车充电桩:具有高电压和电流承受能力,可用于电动汽车充电桩中的功率开关模块。
3. 工业电气控制:适用于各种工业电气控制场景,如变频器、工业电机控制等。
4. 太阳能逆变器:由于可靠性高且耐压能力强,可用于太阳能逆变器中的功率开关部件。

以上是该产品在不同领域和模块中的一些应用举例。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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