产品简介:
VBE5638是VBsemi生产的Common Drain N+P型场效应晶体管，适用于多种电子应用。具有双通道设计，可在电路中提供灵活的功率控制。

详细参数说明:
- VDS(V): 最大漏极-源极电压为±60V。
- VGS(±V): 门极-源极电压范围为±20V。
- Vth(V): 开启电压为1.8V（N通道）和-1.7V（P通道）。
- VGS=4.5V(mΩ): 在门极-源极电压为4.5V时，漏极-源极电阻分别为33 mΩ（N通道）和60 mΩ（P通道）。
- VGS=10V(mΩ): 在门极-源极电压为10V时，漏极-源极电阻分别为30 mΩ（N通道）和50 mΩ（P通道）。
- ID (A): 最大漏极电流为35A（N通道）和-19A（P通道）。
- Technology: 采用Trench技术。