VBE2610N是VBsemi品牌的单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。
VBE2610N的高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。
该器件采用槽沟技术制造，该器件采用TO252封装。
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| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO252 | Single-P | -60V | 20（±V） | -1.7V | -30A | 100 (mΩ) | 90 (mΩ) | Trench |
具有以下主要参数：
- 额定漏极-源极电压（VDS）：-60V
- 门-源电压（VGS）范围：±20V
- 阈值电压（Vth）：-1.7V
- 门-源电压为4.5V时的漏极-源极电阻（RDS(on)）：100mΩ
- 门-源电压为10V时的漏极-源极电阻（RDS(on)）：90mΩ
- 最大漏极电流（ID）：-30A
槽沟技术的应用使其在各种应用中具有出色的性能。例如，
在电源管理模块中，VBE2610N可用于稳压器、电源开关模块等领域。其低导通电阻和高阈值电压使其特别适用于需要高效率和高稳定性的应用，如无线通信设备中的功率放大器模块、LED照明驱动器等。此外，其低阈值电压和大额定漏极电流也使其成为家用电器控制模块、工业电机控制器等领域的理想选择。
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